| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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IXTQ200N085T |
TO-3P-3，SC-65-3 | IXYS | 808 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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IXTQ200N085T参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 85V 200A TO-3P 包装数量：30 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：85V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：200A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：152nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7600pF @ 25V 功率 - 最大值：480W 安装类型：通孔 |
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热门型号： 功率，高于 2 安G6B-1184P-USDC12 矩形A3DDB-3018G 矩形- 接头，公引DF14A-6P-1.25H(20) 电流/电压监视器CR4510-150 嵌入式 - 微处理Z84C9012VSC00TR 圆形MS3450L14S-7PW AC DC 转换器MP6-2A-1N-1N-00 DC DC ConVI-21H-MX-F1 光隔离器 - 晶体EL3H7(B)(TA)-G 嵌入式 - FPGA3PE1500-FG676I |
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